碳化硅（SiC）作为第三代半导体的中心资料，因其耐高温、高频、高压等特性，在新能源轿车、5G通讯、光伏发电等范畴掀起技能革命。但是，其单晶成长技能的高门槛一直是职业痛点。现在干流的物理气相传输法（PVT法）与新式的液相法（LPE法）各具优势，也面对不同应战。本文将深度解析这两种技能的工艺差异、中心难点与未来远景。
液相法：低本钱破局者的兴起之路1. 工艺改造与打破性优势液相法经过助溶剂（如硅基合金）下降碳化硅熔点（约1500℃），在衡态下完成晶体成长。其中心优势包含：2. 工业化妨碍与攻关方向虽然远景宽广，液相法仍面对三大应战：
结语：碳化硅年代的“双轨并行”PVT法凭仗老练工艺仍将主导未来5年商场，但液相法在本钱与功能上的潜力不可以小看。跟着新能源轿车对800V高压渠道的需求迸发，以及光伏逆变器对耐高温器材的渴求，两种技能或将构成互补。这场技能博弈的结局，或将由谁能首先打破“缺点操控”与“本钱阈值”决议。
半导体在线月在姑苏安排了第一届、第二届和第三届第三代半导体会议，与会人员累计超越2000人，并得到了与会者的一起好评。为促进第三代半导体资料范畴的彼此沟通与协作，半导体在线日报到）在姑苏市安排举行2025年第四届第三代半导体资料技能与商场研讨会，旨在供给协同立异的高质量沟通渠道，推进国内第三代半导体资料的学术研讨、技能进步和工业开展。
《12英寸SiC单晶资料技能开发与使用浅析》山西烁科晶体有限公司 马康夫 总经理助理
《应战与机会并存 -- 碳化硅资料商场开展现状及展望 》河北同光半导体股份有限公司 王巍 副总经理
《液相法碳化硅单晶成长数值模仿研讨与热场规划》西安交通大学 刘立军 教授
《牢靠的SiC半导体器材制作》安徽长飞先进半导体有限公司 刘红超 首席科学家、高档副总裁
《电驱使用SiC模块的开展的新趋势和中心竞争力》姑苏悉智科技有限公司 刘波 CEO
《飞锃碳化硅器材在新能源商场的使用》飞锃半导体（上海）有限公司 李和明 商品商场副总裁
《SiC功率器材-动态牢靠性初探》无锡能芯检测科技有限公司 姜南 总经理
《氮化物半导体晶体成长研讨新进展》山东晶镓半导体有限公司/山东大学 张雷 董事长/教授
《大尺度自支撑氮化镓晶体的HVPE成长技能》镓特半导体科技有限公司 刘德昂 研制总监
《氮化物大失配异质外延缺点工程：从MOCVD热场/流场优化到成长动力学调控》我国科学院半导体研讨所/姑苏中科重仪半导体资料有限公司 姚威振 副研讨员/联合创始人
《先进射频氮化镓制作中心支撑DC-40GHz MMIC代工》姑苏能讯高能半导体有限公司 裴轶 副总裁
《高压横向功率氮化镓开关动态功能进步的要害--模型与试验验证》姑苏量芯微电子有限公司-GaNPower 李湛明 CTO
《京东方华灿氮化镓功率器材立异与开展》京东方华灿光电股份有限公司 马欢 GaN研制总监
《大变局中的第三代半导体工业》我国电子信息工业开展研讨院 解楠 集成电路研讨所副主任/高档工程师
07会议方式首要经过主题讲话、现场评论的方式，也欢迎资料企业、设备企业安排小型展览。会议期间还将安排讲演嘉宾或职业资深专家们与参会代表互动进行自在评论。为了一起办妥这次会议， 热烈欢迎各企业、科研院所资助本次会议，并借此机会进步知名度。
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